محققان با نانوساندویچ کردن لایه اکسید آلومینیوم میان کاربید و اکسیدسیلیکون، موفق شدند انتقال حرارت از ترانزیستور را دو برابر افزایش دهند که این از داغ شدن قطعات نانوالکترونیکی جلوگیری می کند.